Понимание химического состава загрязнений в большинстве случаев выявить их источник и впоследствии его устранить. ИК-Фурье микроскопия представляет собой удобный инструмент анализа очень маленьких структур вплоть до микронных размеров, и способна идентифицировать не только органические, но и неорганические компоненты. Используя интерференцию появляется возможность определять толщину изоляционных слоёв микронного размера.
Рамановская микроскопия позволяет анализировать структуры, находящиеся под стеклом или прозрачным защитным полимером.
Пример: Анализ загрязнения CMOS-Чипа
На рисунке ниже изображен угол чипа CMOS-камеры. Для идентификации частицы в верхнем левом углу (синяя стрелка) были проведены измерения на частице, а так же на различных участках всей сборки.
Множество участков, которые выглядят по-разному, имеют схожие спектры (зеленый цвет). Это обусловлено тем, что большая часть поверхности покрыта защитным слоем полимера, который идентифицируется как "Поли (метилметакрилат): Бутадиен". Напротив, две прямоугольные контактные площадки (красные стрелки) не обнаруживают поглощения во всём ИК-диапазоне, что указывает на их металлический состав (красный спектр приведен ниже). Другое отличие - загрязнение в верхнем левом углу (синяя стрелка). Итоговый спектр (синий на рисунке ниже) наглядно демонстрирует, что загрязнение представляет собой полиамид/белок.
| Ознакомьтесь с примером анализа печатной платы CMOS чипа (AN106) |  |
| Ознакомьтесь с примером анализа загрязнений на SMD компонентах (AN100) | |
Пример: Определение дефекта в медной проволоке
Лакированная медная проволока в основном используется в микроэлектронике для намотки катушек и имеет типичный диаметр 0.02-6мм. На современных катушках обычно используется очень тонкая изоляция из полимерной пленки. Дефекты на этом покрытии могут привести к серьёзным сбоям, например утечкам или короткому замыканию, которые приводят к выходу из строя всей схемы.
Была исследована гомогенность по толщине покрытия при помощи линейных измерений в режиме отражения от поверхности проволоки. Измерения на отражение от тонкого слоя привели к появлению т.н. интерференционных максимумов на спектре. Интерференция проявляется на спектре в виде синусоидального сигнала, по которому может быть восстановлена толщина слоя. На изображении ниже показана цветовая схема, демонстрирующая распределение толщины слоя в разных точках проволоки. толщина составила порядка 25мкм для большого участка.
Однако был обнаружен дефект на изоляторе, в котором слой был снят, а так же область с большей толщиной изолятора, из-за избытка нанесенного материала.
| Ознакомьтесь с примером анализа покрытий (AN130) | |
